通过采用改进的肖特基结势垒 (JBS) 结构，TRSxxx120Hx 系列器件实现了极低的正向电压 (V<sub>F</sub>)，典型值仅为 1.27 V。集成在 JBS 结构中的熔接式 PiN-肖特基结构可降低高电流条件下的二极管损耗。新系列中的 TRS40N120H 器件支持最大 40 A 的直流正向电流 (I<sub>F(DC)</sub>) 和最大 270 A 的峰值非重复直流电流 (I<sub>FSM</sub>)，所有器件的最高封装温度 (T<sub>C</sub>) 均为 +175 °C。
结合更低的电容负载和漏电流，这些产品有助于提高系统效率并简化散热设计。例如，在反向电压 (VR)为 1200 V 时，封装在 TO-247-2L 中的 TRS20H120H 二极管可提供 109 nC 的总容性负载 (QC)和 2 µA 的反向电流 (IR)。
Feasycom 蓝牙模块：FSC-HC05、BT630 和 BP119
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