这些特性使这些器件成为电机控制、电源、可再生能源系统和其他高功率应用的理想选择。该系列产品还包括专为人工智能服务器热插拔功能而设计的专用 MOSFET (ASFET)。这些 CCPAK 封装的 MOSFET 提供顶部和底部散热选项，可提供高功率密度和可靠的解决方案。所有器件均已通过 JEDEC 注册，并提供 Nexperia 交互式数据手册，可实现无缝集成。.
PSMN1R0-100ASF 是一款 0.99 mΩ、100 V 的功率 MOSFET，能够驱动 460 A 电流并耗散 1.55 kW 功率，采用 CCPAK1212 封装，仅占用 12 mm x 12 mm 的电路板空间。PSMN1R0-100CSF 提供类似的规格，但采用顶部散热设计。.
这种卓越性能的秘诀在于器件的内部结构。“CC”在CCPAK1212中代表铜夹，这意味着功率MOSFET的硅芯片被夹在两片铜片之间：一侧是漏极片，另一侧是源极片。这种精简的组件完全消除了导线接头，从而实现了低连接电阻、低寄生电感、高峰值电流和出色的散热性能。.
NextPower CCPAK1212 80/100 V MOSFET 适用于对效率和可靠性要求极高的高功率工业应用，例如无刷直流 (BLDC) 电机控制、开关电源 (SMPS)、电池管理系统 (BMS) 和可再生能源存储。这些大功率 MOSFET 采用单封装设计，减少了并联需求，简化了设计，并提供了更紧凑、更经济高效的解决方案。.
Nexperia CCPAK1212 还包含几款新型专用 MOSFET (ASFET)，专为功能日益强大的 AI 服务器中的热插拔应用而设计。这些器件具有增强的安全工作区 (SOA)，可在线性模式转换期间提供卓越的热稳定性。.
在所有这些应用中，顶部和底部冷却选项的可用性为工程师提供了多种散热技术选择，这在由于其他组件的敏感性而无法通过印刷电路板散热时尤其有用。.
“尽管我们的产品性能在市场上领先，但我们知道一些客户可能对设计一种相对较新的封装有所顾虑，”Nexperia产品集团总经理Chris Boyce表示。“因此，我们已向JEDEC标准组织注册了CCPAK1212封装（参考编号MO-359）。几年前，我们在推出首款LFPAK MOSFET封装时也采取了类似的策略，因此，现在市场上有很多兼容的器件可供选择。当创新能够为客户带来真正的价值时，你永远不会感到孤单，”Boyce总结道。
所有新型 CCPAK1212 MOSFET 器件均支持一系列先进的设计工具，包括热补偿仿真模型。除了传统的 PDF 数据手册外，Nexperia 还提供用户友好、交互式的数据手册，其中新增了图表转 CSV 功能，方便工程师下载、分析和解读每个器件关键特性背后的数据。这不仅简化了设计流程，也增强了设计决策的可靠性。.
Nexperia 计划将 CCPAK1212 封装扩展到所有电压范围的功率 MOSFET，并扩展到其汽车级 AEC-Q101 产品组合，从而满足下一代系统不断变化的需求，满足其最苛刻的电流和热性能要求。.
