谐振电路和缓冲电路对于高效的功率转换以及抑制电流和电压尖峰至关重要。在这两种电路中,反复暴露于高电压和高电流会导致元件性能发生哪怕是微小的变化,从而导致效率下降或发热,并可能造成故障或失效。近期趋势还表明,电源开关器件正从硅 MOSFET 转向碳化硅 (SiC) MOSFET,后者具有更高的效率和更快的开关速度。SiC MOSFET 应用需要 1.2 kV 的击穿电压,这推动了对额定值超过此规格的电容器的需求。因此,这些应用需要能够在宽温度范围内保持稳定性能、最大限度降低功率损耗并承受高工作电压的电容器。.

利用村田制作所独有的陶瓷和电极材料、薄层成型技术和高精度层叠技术,这款新型 1.25 kV MLCC 电容器满足了上述需求,并与最新的 SiC MOSFET 技术兼容。该产品符合 EIA 标准,具有 C0G 特性(低损耗,且在 -55 °C 至 +125 °C 的工作温度范围内电容稳定),使其成为谐振电路和缓冲电路的理想之选。为了提供更大的设计灵活性,其电容范围从 4.7 nF 到 15 nF,容差为 ±1% 至 ±5%。.

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