采用 BiCS FLASH 技术的 2TB QLC 闪存 - Convertronic 电子杂志

细节: 类别：负债; 2024年7月5日

KIOXIA Europe GmbH 已开始交付采用第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 2 TB（太比特）四层单元 (QLC) 存储器件样品^[1]
凭借其最新的 BiCS FLASH™ 技术，KIOXIA 通过专有工艺和创新架构实现了存储阵列的垂直和横向扩展。

此外，该公司还采用了CBA（CMOS直接键合阵列）技术^[3] ，该技术能够制造更高密度的器件，并实现业界领先的3.6 Gbps接口速度^[4]。

这些先进技术相结合，应用于2 TB QLC的研发，这是目前市场上容量最高的存储器件。

与目前第五代QLC器件（其容量已是KIOXIA产品中最高的）相比，2 TB QLC的位密度约为其2.3倍，写入效率提升约70%。最新的QLC器件采用堆叠式架构，在单个存储封装中集成16个芯片，实现了业界领先的4 TB容量。其尺寸更小，仅为11.5 x 13.5 mm，厚度仅为1.5 mm。

全球领先的IT技术公司Pure Storage, Inc.的首席执行官Charles Giancarlo强调了KIOXIA最新研发成果对公司平台的重要性： “我们与KIOXIA有着长期稳定的合作关系，很高兴能将他们的第八代BiCS FLASH™ 2TB QLC闪存产品应用于我们的闪存存储解决方案，以提升其性能和效率。Pure的统一闪存数据存储平台能够满足人工智能的需求，同时也能应对备份存储的高昂成本。在KIOXIA技术的支持下，Pure Storage将继续提供卓越的性能、能效和可靠性，为我们的客户创造非凡价值。”

KIOXIA首席技术官宫岛秀志表示：“我们很高兴能够交付采用第八代BiCS FLASH™技术的全新2TB QLC闪存样品。” “凭借业界领先的高比特密度、高数据传输速度和卓越的能效，这款 2TB QLC 产品将为新兴人工智能应用和需要节省功耗和空间的大型存储应用带来全新价值。”

除了 2TB QLC 之外，铠侠 (KIOXIA) 还推出了 1TB QLC 存储器件。与容量优化的 2TB QLC 相比，性能优化的 1TB QLC 顺序写入速度提升 30%，读取延迟降低约 15%。1TB QLC 将应用于高性能应用，包括客户端和移动 SSD。

注
：1：样品用于验证功能。这些样品的规格可能与量产产品有所不同。3
：CBA（CMOS 直接键合到阵列）技术，其中每个 CMOS 晶圆和单元阵列晶圆均在各自优化状态下单独制造，然后进行键合。4
：1 Gbps 的计算方法是 1,000,000,000 比特/秒。该数值是在特定的铠侠测试环境下获得的，可能会因用户使用情况而异。

* 在所有提及铠侠产品时：产品密度是指产品内部内存芯片的密度，而非最终用户可用于数据存储的内存容量。由于通用数据区、格式化、坏块和其他限制，消费者实际可用容量会更少，并且可能因主机设备和应用程序而异。更多信息，请参阅相关产品规格。1 KB = 2^10 字节 = 1024 字节。1 Gb = 2^30 位 = 1,073,741,824 位。1 GB = 2^30 字节 = 1,073,741,824 字节。1 TB = 2^40 位 = 1,099,511,627,776 位。

* 读取和写入速度是在特定的 KIOXIA 测试环境下获得的最佳值。KIOXIA 不保证所有设备均能达到这些读取或写入速度。读取和写入速度可能因所用设备和读取或写入的文件大小而异。

* 本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自第三方公司的商标。