由于宽禁带（WBG）材料，例如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），与传统的硅基器件相比，具有更高的能量效率、更高的开关频率和更小的尺寸，因此被认为是下一代功率半导体的关键技术。在未来十年，受电动汽车（EV）、逆变器、数据中心服务器、人工智能（AI）、可再生能源、工业电力转换、消费电子应用等领域的需求驱动，GaN 和 SiC 基产品预计将迎来快速增长。

“客户可以通过集成两家公司技术的交钥匙参考设计，立即从新的 GaN 产品中受益，”瑞萨电子高级副总裁兼电源业务总经理 Chris Allexandre 表示，“将 GaN 添加到我们的产品组合中，也进一步巩固了我们致力于开发能够让人们生活更轻松的产品和技术的承诺。提供强大且可持续的电源解决方案，以节省能源、降低成本并最大限度地减少对环境的影响，正是我们实现这一目标的体现。”

投资能源业务是瑞萨电子实现长期可持续增长战略的关键组成部分。瑞萨电子近期为加强该细分市场而采取的其他举措包括：开设专门生产用于功率产品的300毫米晶圆的甲府工厂；在高崎工厂投产一条新的碳化硅（SiC）生产线；以及与Wolfspeed签署协议，确保未来10年碳化硅晶圆的稳定供应。如今，氮化镓（GaN）技术已纳入瑞萨电子的产品组合，公司能够更好地提供更全面的能源解决方案，以满足客户在各种应用领域不断变化的需求。.

在完成对Transphorm的收购的同一天，瑞萨电子发布了15款全新组合产品——这些面向市场的参考设计将新型GaN产品与瑞萨电子的嵌入式处理、电源、连接和模拟电路产品组合相结合。其中包括将Transphorm的车规级GaN技术集成到车载电池充电器中的设计，以及面向电动汽车的三合一动力总成解决方案。.