Giorgia Longobardi 博士 | CGD 联合创始人兼首席执行官：
“技术创新是 IFPEN 所有业务的基石。因此，我们非常高兴 IFPEN 在其新型汽车逆变器设计中选择了 CGD 的 HEMT GaN ICeGaN™。IFPEN 也和 CGD 一样认为，与关键合作伙伴建立紧密的伙伴关系是任何项目成功的关键，因此我们很荣幸能参与到这个项目中来。”
IFPEN移动业务部总监GAËTAN MONNIER表示：
“与CGD的合作是我们未来在电动出行电力电子领域开展业务的关键要素，尤其是在下一代逆变器方面。下一代逆变器需要技术上的飞跃，才能在缩小尺寸、提高功率密度的同时降低成本。我们期待与这家年轻、充满活力且极具创新精神的公司合作，共同应对对电动出行行业未来至关重要的挑战。”
IFPEN 与 CGD 的合作将双方优势互补的专业领域完美结合。IFPEN 深谙汽车市场及其性能目标，并在逆变器和软件开发领域拥有强大的实力，对必要的算法和设备有着深入的了解。CGD 的 GaN 技术催生了业界首个用户友好且可扩展的 650V GaN HEMT 系列。该公司的 ICeGaN™ H1 系列是单芯片 eMode HEMT 器件，可像 MOSFET 一样进行控制，无需特殊的栅极驱动器、复杂且损耗大的控制电路、负电压电源要求或额外的钳位元件。ICeGaN HEMT 无需级联结构、复杂的多芯片配置或散热复杂的集成解决方案。相反，它们是内置逻辑的单芯片解决方案，可与标准驱动器或栅极驱动器配合使用。这些器件极其可靠，非常适合汽车市场等严苛的应用环境。.
