该项目涉及一项专有的氮化镓（GaN）制造工艺，将推动新型高性能电子器件和电路的发展，使其能够在极高的频率范围内运行。这项工作包括开发专用集成电路（MMIC）以及先进的集成和封装技术，以促进将其集成到更紧凑、更可靠、更高效的模块和天线中。该项目于去年1月启动，预算超过900万欧元，预计持续四年。它将使西班牙首次建立一条涵盖从先进器件设计到制造、集成和最终验证的完整价值链。该项目隶属于西班牙科学、创新和大学部下属的科学与创新任务计划（PEICTI 2024-2027），由工业技术发展中心（CDTI）负责管理，旨在加强西班牙在这一战略关键领域的技术自主性，并最终融入未来欧洲化合物半导体价值链。.
由Indra集团牵头的该联盟成员包括Televes Corporación、SPARC Foundry和RBZ Robot Design等领先企业，它们将在先进电子、集成电路设计等领域贡献互补能力。SPARC Foundry还将提供其面向III-V族和GaN技术的开放式工业制造平台，这对于为该项目提供可扩展的生产能力至关重要。来自马德里理工大学、维戈大学、萨拉曼卡大学和加利西亚电信技术中心（GRADIANT）的科研团队也参与其中，贡献他们在GaN架构、器件表征、紧凑型模型开发以及电路集成新方法等方面的专业研究。.
“氮化镓有望变革下一代国防和通信系统，而主导GIGaNTE这样的项目，充分展现了英德拉集团致力于在西班牙发展关键技术能力的决心。承担这项战略计划的协调工作，使我们能够培育世界一流的工业和科研生态系统，并朝着更强大、更高效、更可靠的雷达、电子战和通信系统迈进。在欧洲需要自主解决方案以增强其战略自主性的当下，拥有在西班牙研发和生产氮化镓的能力，对于增强我们行业的科技自主性和竞争力至关重要。” 英德拉集团投资组合与创新主管华金·庞兹表示。
提升GIGaNTE芯片生态系统是Indra集团致力于增强国家在关键核心技术领域能力的重要举措之一，这一战略也体现在其控股的SPARC Foundry公司身上。Indra持有SPARC Foundry 37%的多数股权。2025年6月，Indra宣布投资SPARC，旨在引领西班牙氮化镓芯片及其他III-V族技术的研发和生产，这是欧洲三大最具雄心的光子和射频半导体项目之一。今年1月，Indra在西班牙维戈启动了西班牙首座GaN芯片工厂的建设，标志着公司又向前迈进了一步。这座开创性的工厂将增强西班牙的技术自主性，并为未来国防和航空航天领域的先进系统奠定基础，巩固Indra在西班牙乃至欧洲这一战略领域作为国家产业驱动力的地位。该工业基础设施构成了项目未来制造能力的基础，并融入了SPARC Foundry技术平台的开发之中。.
