这款封装专为 GeneSiC SiC MOSFET（工作电压范围 1200V 至 3300V）而设计，以紧凑的分立式封装形式提供模块级性能。与标准非绝缘通孔封装相比，该封装不仅无需外部高压绝缘，还提升了散热性能和电磁干扰 (EMI) 抑制能力。这进一步扩展了 Navitas 的封装产品组合，该产品组合包括 SiCPAK®、QDPAK、TO-247-LP 功率模块和其他高性能解决方案，可为能源、电网和人工智能数据中心等领域构建更高效、更密集、更具可扩展性的电源系统。.
系统优势：
集成高压绝缘：通过集成氮化铝 (AlN) 基板，该封装可提供超过 6000 V 的可靠高压绝缘，无需外部绝缘材料，简化了系统设计。
直接冷却和回流焊兼容的热管理：高压、回流焊兼容的绝缘导热垫使封装能够直接安装在液冷或风冷散热器上，无需外部导热界面材料 (TIM)。这可将 RTH,J-HS 降低高达 60%，从而使散热能力提高高达 150%，进而提升功率密度、可靠性、制造便捷性和整体系统成本。.
降低耦合电容和辐射电磁干扰：与外部陶瓷绝缘体相比，集成的高压隔离降低了芯片和散热器之间的寄生电容，从而有效降低了共模噪声和辐射电磁干扰。这实现了更高的开关速度，并提高了功率密度、系统效率，同时降低了与电磁干扰抑制相关的系统级成本。.
卓越的功率和热循环寿命：该封装采用高性能 AlN 基板，利用主动钎焊 (AMB) 技术和坚固的回流焊兼容散热器接口制造，无需在系统堆叠中使用外部导热界面材料 (TIM) 和绝缘材料，从而提供卓越的功率循环能力和更长的热循环寿命。.
符合行业标准的封装尺寸和封装形式：该封装兼容成熟的高压TO-247-4封装尺寸和端子几何形状，无需重新设计即可轻松集成到系统中，同时提供卓越的性能、更高的可靠性和更低的系统总成本。
“高功率系统设计面临的根本挑战是如何在高效的散热管理和强大的高压绝缘之间取得平衡，”Navitas公司SiC业务部副总裁兼总经理Paul Wheeler表示，“UHV-TO-247-4-ISO封装克服了关键的散热管理和绝缘难题，以紧凑的封装形式提供媲美功率模块的性能。作为高效的构建模块，它使系统设计人员能够充分发挥GeneSiC TAP SiC MOSFET技术在下一代应用（例如浸没式和液冷式功率电子器件）中的潜力。”
产品组合：
UHV-TO-247-4-ISO封装提供3300V、2300V和1200V三种SiC MOSFET版本。该封装技术的进步提升了并网高压电力转换系统（PCS）、固态变压器（SST）、电池储能系统（BESS）和可再生能源应用领域的性能。
