凭借这些举措，这家功率半导体专家正在积极响应电动汽车和现代工业应用日益增长的需求。StarPower
的最新研发成果之一是全新系列的传输模塑半桥模块，专为功率等级从 250 kW 起的牵引逆变器而设计。这些模块采用硅和碳化硅两种工艺，并应用了最新一代第三代沟槽式 IGBT 以及第二代导通损耗极低的 SiC MOSFET，模块级导通电阻 (RDS(on)) 低至 1.3 mΩ。

高品质的Si₃N₄ AMB衬底，结合优化的针状鳍片底座设计，显著提升了散热性能。产品系列包括750V和1200V两种电压规格，搭载750 Arms、900 Arms、450 Arms和500 Arms三种规格的Gen3 IGBT模块。SiC版本提供1.4 mΩ、1.0 mΩ、1.8 mΩ和1.3 mΩ三种导通电阻（RDS(on)）值。.

此外，StarPower正在扩展其用于低功率和中功率牵引逆变器的封装式三相桥模块产品组合。这些模块还采用了第三代沟槽式IGBT技术和第二代SiC MOSFET，具有极低的损耗，导通电阻RDS(on)低至2 mΩ。.

采用Si₃N₄ AMB衬底和针鳍式底座的组合确保了高热稳定性；此外，还可选配集成电流传感器。该模块提供750V和1200V两种版本，包括350Arms、380Arms和300Arms的第三代IGBT。SiC版本的导通电阻(RDS(on))值分别为2.3mΩ和2.0mΩ，以及3.0mΩ和2.0mΩ。.

凭借这些新型模块，StarPower进一步巩固了其技术优势，并强化了其作为现代驱动系统电气化高性能合作伙伴的地位。欢迎莅临德国纽伦堡PCIM展会（9号展厅，442号展位）参观StarPower展位。