采用 U-MOS11-H 工艺，TPHR6704RL 在 10 V 正向电压 (VGS) 下实现了 0.52 mΩ 的典型导通电阻 (RDS(ON))，最大导通电阻 (RDS(ON)) 为 0.67 mΩ。与采用 U-MOS IX-H 工艺制造的现有 40 V 产品 (TPHR8504PL) 相比，其导通电阻 (RDS(ON)) 降低了约 21%。此外，该器件的开关性能也得到了提升，典型总栅极电荷 (Qg) 为 88 nC，栅极开关电荷 (QSW) 为 24 nC，使得 RDS(ON) × Qg 指标降低了约 37%，从而实现了低损耗运行。TPHR6704RL
能够最大限度地减少开关过程中漏极和源极之间产生的电压尖峰，帮助设计人员降低开关电源中的电磁干扰 (EMI)。
TPHR6704RL 还具有出色的散热和电流性能，额定漏极电流 (ID) 高达 420 A，25 °C 时沟道至外壳的热阻为 0.71 °C/W，即使在高负载条件下也能稳定运行。该器件可在宽温度范围内工作，最高沟道温度 (Tch) 为 175 °C，确保在严苛的工业环境中可靠运行。
该器件采用 SOP Advance (N) 封装，与现有的 SOP Advance 设计具有高度兼容性，简化了更换和板级升级。
为了方便高效的电源设计，东芝提供了一套全面的电路设计工具。除了用于快速功能验证的 SPICE G0 模型外，还提供高精度 SPICE G2 模型，可精确再现瞬态和开关特性，帮助设计人员优化效率、电磁干扰 (EMI) 和散热性能。
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