其他半导体
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东芝电子欧洲有限公司(“东芝”)开发了一种新型 2200V 碳化硅 (SiC) MOSFET,集成肖特基势垒二极管 (SBD),可用于 1500V 直流应用,例如光伏 (PV) 逆变器、电动汽车 (EV) 充电器、高频 DC/DC 转换器和储能系统。.
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Mouser 现已备有 NXP Semiconductors S32G3 车载网络处理器现货。这些高性能处理器将控制器局域网 (CAN)、本地互连网络 (LIN) 和 FlexRay 网络与高速以太网相结合,可满足包含面向服务的网关、车载计算机、域控制器、安全处理器和区域处理器等复杂车载架构的需求。.
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东芝电子欧洲有限公司(“东芝”)推出了一款额定电流为 20A 的 12V 共漏 N 沟道 MOSFET,用于锂离子 (Li-ion) 电池组的电池保护电路,例如智能手机、平板电脑、移动电源、小型数码相机、数码单反相机和其他类似应用中常用的电池组。.
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东芝电子欧洲有限公司(简称“东芝”)宣布推出十二款基于其最新第三代技术的650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。这些新型器件专为对效率要求极高的工业设备应用而设计,例如开关电源、电动汽车充电站和光伏逆变器。.
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瑞萨电子株式会社宣布推出一款适用于AMD Versal™ XQRVC1902自适应系统级芯片(SoC)的航天级完整参考设计。这款名为ISLVERSALDEMO2Z的参考设计由瑞萨电子与AMD合作开发,将包括四款全新产品在内的关键抗辐射加固电源管理组件集成于超紧凑型设计中。.
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ROHM 为其 PrestoMOS™ 系列 600V 超结 MOSFET 产品线新增了三款型号,即 R60xxRNx 系列。这些器件针对驱动冰箱、风扇等需要抑制噪声的应用中的小型电机进行了优化。.
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Mouser 现推出 Nexperia 的增强型 (e-mode) 氮化镓功率场效应晶体管 (GaN FET),适用于低压 (100-150 V) 和高压 (650 V) 应用。这些 GaN 功率 FET 通过降低导通损耗和开关损耗,显著提升了功率密度。这些 GaN 器件是消费电子和工业电源应用的理想之选,例如网络、自动化和通信基础设施。.
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Mouser 现已备有 NXP Semiconductors i.MX 8M Plus 应用处理器现货。这些适用于异构应用的多核嵌入式处理器是 i.MX 系列中首款集成专用神经网络处理单元 (NPU) 的产品,可用于工业和物联网 (IoT) 应用中的高级边缘机器学习推理。.
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使用我们的 dsPIC33C MPT 系列数字信号控制器 (DSC) 保护并维护系统的完整性。该系列产品集成了安全子系统和高级 JIL HSM 架构,提供先进的加密引擎算法和安全密钥存储。这些控制器符合 EVITA Full 规范,可满足汽车、工业、医疗和物联网应用设计的安全需求。.
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HopeRF在西班牙和葡萄牙的官方经销商Mecter宣布推出其数字隔离器。该数字隔离技术通过串联厚度达32微米的硅电容器实现,相比传统光耦合器具有多项优势。.
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从手机和银行等日常应用到复杂的水下防御任务,精确同步的授时和频率解决方案对于数据保护和处理至关重要。许多此类应用依赖全球导航卫星系统 (GNSS) 来获取精确的时间和频率信息,但 GNSS 系统容易受到干扰和旨在篡改数据的攻击。.
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ROHM 开发了 RS6xxxxBx / RH6xxxxBx 系列的 MOSFET N 沟道 (40V/60V/80V/100V/150V),共有 13 个产品编号,适用于 24V/36V/48V 电源供电的应用,例如基站、服务器以及工业和消费设备的电机。.
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