其他半导体

细节: 类别：其他半导体; 2025年9月11日

无论是沉浸式家庭影院体验、车载抬头显示器，还是工业机器视觉，投影仪都越来越受欢迎。针对这些应用，欧司朗ams推出了其全新Vegalas™ Power系列高功率激光二极管的首款产品。.

细节: 类别：其他半导体; 2025年7月29日

东芝电子欧洲有限公司（“东芝”）宣布推出两款新型N沟道功率MOSFET，分别为80V的TPM1R908QM和150V的TPM7R10CQ5。这两款新产品采用东芝创新的SOP Advance(E)封装，旨在提升包括数据中心和通信基站在内的高要求工业设备的开关电源性能。.

细节: 类别：其他半导体; 2025年7月29日

Magnachip Semiconductor Corporation 今天宣布推出一款新的 80V MXT MV MOSFET，型号为 MDLT080N017RH，采用 TOLT（TO 引线顶部冷却）封装。.

采用 TOLT 封装的 MOSFET 代表了热管理方面的一项重大进步。.

细节: 类别：其他半导体; 2025年7月29日

Mouser 现提供英飞凌科技的 OptiMOS™ 6 150V 功率 MOSFET。该 150V 系列产品具有低开关损耗，可为服务器电源 (PSU)、太阳能优化器、大功率 USB 充电器和电信基础设施提供卓越的效率、功率密度和可靠性。.

细节: 类别：其他半导体; 2025年7月16日

IGBT 一直是工业领域的主力器件，兼具高功率和简单驱动机制的优势。新型 IGBT7 技术以其独特的器件特性脱颖而出，例如更低的正向电压、更高的额定电流、175°C 的过载能力、更优的 dv/dt 控制以及增强的续流性能。结合创新的低电感封装，IGBT7 技术在降低系统成本的同时，还具备易用性、更高的可靠性、更高的功率密度和更高的效率。.

细节: 类别：其他半导体; 2025年7月10日

ROHM 宣布推出新的 3 级 (L3) SPICE 模型，这些模型可提供显著改进的收敛性和更快的仿真性能。.

由于功率半导体损耗对系统整体效率影响显著，因此设计阶段的仿真精度至关重要。ROHM 此前推出的 SiC MOSFET 一级 (L1) SPICE 模型通过精确再现关键器件特性，满足了这一需求。.

细节: 类别：其他半导体; 2025年7月1日

ROHM推出了一款100V功率MOSFET——RY7P250BM，专为48V电源系统中的热插拔电路而优化，适用于AI服务器和需要电池保护的工业电源。随着AI技术的飞速发展，数据中心面临着前所未有的处理需求，服务器功耗也逐年攀升。.

细节: 类别：其他半导体; 2025年6月25日

Nexperia 今日宣布推出一系列高效、坚固耐用的汽车级碳化硅 (SiC) MOSFET，其导通电阻 (RDS(on)) 分别为 30、40 和 60 mΩ。这些器件（NSF030120D7A0-Q、 NSF040120D7A1-Q、 NSF060120D7A0-Q）具有业界领先的性能指标 (FoM)，此前已推出工业级产品，现在已获得 AEC-Q101 认证。

细节: 类别：其他半导体; 2025年6月23日

Microchip Technology 已在其 dsPIC33A 数字信号控制器 (DSC) 产品线中新增了dsPIC33AK512MPS512和dsPIC33AK512MC510系列DSC。这些器件能够实现计算密集型控制算法，从而提高电机控制、AI 服务器电源、储能系统以及利用基于机器学习的推理进行复杂传感器信号处理等领域的能源效率。

细节: 类别：其他半导体; 2025年6月4日

Starpower 提供基于最先进的沟槽式 IGBT 和 SiC 技术的各种高性能模块和组件，从芯片设计到封装，全部在其自有工厂开发和制造，使其能够为各种应用提供创新可靠的解决方案。.

细节: 类别：其他半导体; 2025年5月19日

瑞萨电子株式会社推出了一款基于实时操作系统（RTOS）的新型高性能RZ/A系列微处理器（MPU），旨在满足日益增长的先进人机界面（HMI）系统需求。这款新型RZ/A3M MPU配备了大容量SDRAM和SRAM，并支持RTOS，能够流畅执行复杂任务并实现实时图形显示。.

细节: 类别：其他半导体; 2025年5月13日

Mouser 现提供 Nordic Semiconductor 的 nRF54L 低功耗蓝牙®系统级芯片 (SoC) 解决方案。nRF54L 系列芯片结构紧凑、功耗极低，是医疗和智能家居设备、工业物联网、游戏控制器以及其他物联网应用的理想之选。这些 SoC 芯片采用 128 MHz Arm® Cortex®-M33 处理器。.

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采用 L-TOGL™ 封装的 40V N 沟道功率 MOSFET

东芝电子欧洲有限公司（简称“东芝”）推出了两款全新的40V汽车级N沟道功率MOSFET，这两款产品将对下一代汽车设计产生深远影响。XPQR3004PB和XPQ1R004PB型号采用了创新的大尺寸晶体管封装技术…….
东芝共漏极N沟道微型MOSFET

东芝电子欧洲有限公司（“东芝”）推出了一款额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET，用于锂离子电池组（例如手机中常用的电池组）的电池保护电路…….
第六代英特尔® 酷睿™ 处理器

基于采用英特尔 14nm 制造技术开发的全新 Skylake 微架构，第六代英特尔酷睿处理器性能提升高达两倍^半。
用于轻量级人工智能模型和嵌入式处理器技术的人工智能加速器，可实现实时处理。

瑞萨电子株式会社宣布开发出一种嵌入式处理器技术，该技术能够提高微处理器单元（MPU）的运行速度并降低其功耗，从而实现先进的视觉人工智能。所开发的技术如下：
小型三轴加速度计 KXTJ3

ROHM 集团旗下公司 Kionix 宣布推出 KXTJ3，这是一款新型三轴加速度计，它以 2mm x 2mm x 0.9mm 的微小尺寸，提供了前所未有的价值和性能，堪比价格昂贵的加速度计。.
超薄三轴加速度计

ROHM 集团旗下的 Kionix 公司最近宣布推出业界首款功能齐全的超薄三轴加速度计 KX112 (2x2x0.6mm) 和 KXCJB (3x3x0.45mm)。.