SemiQ Inc.是一家为超高效率、高性能和高压应用提供先进碳化硅 (SiC) 解决方案的全球供应商，该公司推出了QSiC™ Dual3，这是一个1200V半桥MOSFET模块系列，旨在用于数据中心冷却系统中的电机驱动、储能系统中的电网转换器以及工业应用。.
该系列产品能够实现业界领先的转换效率和高功率密度的电源转换器。此外，该系列还包含一个可选的并联肖特基势垒二极管，可进一步降低高温环境下的开关损耗。
该系列六款器件中有两款在 62 x 152 mm 封装中实现了仅 1 mΩ 的导通电阻 (RDS(on)) 和 240 W/in³ 的功率密度。QSiC
Dual3 的开发旨在以最小的重新设计即可替代 IGBT 模块。所有 MOSFET 芯片均经过晶圆级栅极氧化层老化测试，电压超过 1450 V。这些模块还具有低结壳热阻，从而简化了系统设计，并可使用更小、更轻的散热器。
SemiQ总裁Timothy Han博士表示：“数据中心人工智能带来的日益增长的电力和散热管理需求，正将传统的冷却和电源系统推向极限。QSiC Dual3系列采用灵活的设计和业界领先的功率密度，支持250kW液冷机应用，可用于主动前端和压缩机驱动，与传统的硅IGBT解决方案相比，在提供最高SiC效率的同时，还能减小尺寸和重量。”
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