这使得它们适用于电动汽车 (EV) 的车载充电器 (OBC) 和牵引逆变器等汽车应用，以及直流-直流转换器和暖通空调 (HVAC) 系统。这些开关采用日益普及的表面贴装 D2PAK-7 封装，与通孔器件相比，这种封装更适合自动化装配操作。.
对于SiC MOSFET而言，导通电阻RDS(on)是一项关键的性能参数，因为它会影响导通损耗。然而，仅仅关注标称值会忽略这样一个事实：随着器件工作温度的升高，RDS(on)可能会增加100%以上，从而导致导通损耗显著增加。与通孔封装技术相比，使用SMD封装技术时，温度稳定性更为关键，因为器件是通过印刷电路板进行冷却的。Nexperia意识到这是目前许多SiC器件性能的限制因素，并利用其创新工艺技术的优势，确保其新型SiC MOSFET具有业界领先的热稳定性，在25°C至175°C的工作温度范围内，RDS(on)标称值仅增加38%。与其他供应商相比，Nexperia在25°C下具有更高的RDS(on)标称值，这使得客户能够在不牺牲性能的前提下，处理更高的应用功率输出。.
“与其它厂商的类似导通电阻 (RDS(on)) 器件相比，这项特性使我们能够从选定的 Nexperia SiC MOSFET 器件中提取更多功率，从而在半导体层面为客户提供明显的成本优势。此外，更低的散热要求、更紧凑的被动元件以及更高的效率，为客户带来更大的设计自由度和更低的总体拥有成本。我们尤其对这些产品在汽车市场的上市感到兴奋，它们在性能和效率方面的优势将对下一代汽车设计产生真正的影响。” 宽禁带、IGBT 和模块 (WIM) 高级副总裁兼集团负责人 Edoardo Merli 表示。.
Nexperia计划推出符合汽车行业标准的17 mΩ和80 mΩ RDS(on) SiC MOSFET版本。.
