新型 TW070J120B 功率 MOSFET 基于碳化硅 (SiC) 材料，这种新型材料具有宽带隙，与传统的硅基 MOSFET 和 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）相比，能够实现更高的工作电压、更快的开关速度和更低的导通电阻。因此，这款新型 MOSFET 显著降低了功耗并提高了功率密度，从而为系统小型化开辟了新的机遇。该新型 SiC MOSFET
 
采用东芝第二代芯片设计[1]制造，具有更高的可靠性。此外，TW070J120B 还实现了 1680pF（典型值）的低输入电容 (CISS)、67nC（典型值）的低栅极输入电荷 (Qg) 以及仅 70mΩ（典型值）的漏源导通电阻 (RDS(ON))。
 
与东芝GT40QR21等1200V硅IGBT相比，这款新型器件可将开关损耗降低约80%，开关时间（下降时间）缩短近70%，同时还具有低正向电压特性，漏极电流(ID)高达20A。
 
其高栅极阈值电压(Vth)（介于4.2V和5.8V之间）最大限度地减少了杂散开关的可能性。此外，该器件还集成了一个正向电压(VDSF)仅为-1.35V（典型值）的SiC肖特基势垒二极管(SBD)，进一步降低了损耗。
 
这款采用TO-3P(N)封装的新型TW070J120B MOSFET将有助于设计更高效的电源解决方案，尤其是在工业应用中，更高的功率密度还有助于减小设备尺寸和重量。

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