新型 GT20N135SRA IGBT 的集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)) 为 1.60 V（典型值），二极管正向电压 (VF) 为 1.75 V，与传统产品相比分别降低了约 10% 和 21%。由于 IGBT 和二极管在高温 (TC=100°C) 下的导通损耗均有所降低，因此该器件的运行效率更高。.

此外，其结与封装之间的最佳最大热阻 (Rth(jc)) 为 0.48℃/W，便于散热设计，因为它需要的散热量更少，与现有产品相比，散热量减少了约 26%。.

新型 GT20N135SRA 可通过谐振电容抑制器件连接时产生的短路电流。该产品的峰值短路电流为 129 A，比现有产品低近三分之一。其安全工作区 (SOA) 更大，这意味着 IGBT 更不容易发生击穿，从而为设计人员提供了更大的灵活性。.

该器件采用标准 TO-247 封装，能够处理最大集电极电流 (IC) 为 40 A，在 100℃ 时降至 20 A。.

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