与上一代产品相比，Magnachip 通过大幅缩小单元间距，显著提升了电流容量。此外，改进的反向偏置安全工作区 (RBSOA) 确保了产品在高电压、高电流等严苛条件下稳定可靠地运行。该产品提供标准 TO-247 封装和高容量 TO-247 Plus 封装，为各种应用提供了极大的设计灵活性。.
市场研究公司Omdia预测，全球太阳能逆变器和储能系统（ESS）市场规模预计将从2024年的约14亿美元增长到2029年的27亿美元，复合年增长率（CAGR）为10.6%。随着全球碳中和倡议的加速推进，能源效率和高功率密度已成为逆变器设计的关键指标。.
Magnachip 已为国内外领先的太阳能逆变器制造商供应 IGBT 产品，并以其产品的高品质和先进技术而闻名。此次新品发布进一步拓展了公司的产品组合，涵盖从家用逆变器到高达 150 kW 的工业系统等多种容量范围，使客户能够根据自身运行环境选择最合适的产品。.
新一代IGBT采用了先进的场阻沟槽（AFST）技术，与上一代产品相比，其设计和制造工艺均有所改进。具体而言，单元间距缩小了约40%，显著提高了相同芯片面积下的电流容量。此外，定义半导体安全工作极限的RBSOA（参考工作极限）也提高了30%以上，确保了器件在高电压和大电流条件下的高稳定性。这使得该器件适用于更广泛的功率应用。.
Magnachip计划在2026年上半年进一步拓展其产品组合，推出高达650V和150A的大电流系列产品以及全新的750V产品。此外，该公司计划采用TO-247-4Lead封装，该封装包含一个Kelvin引脚以提高开关效率，从而进一步增强其IGBT产品线。这将使Magnachip能够为太阳能和储能系统（ESS）市场提供更广泛的设计选择，以满足这些市场向更高容量和更高效率发展的需求。.
“得益于优化的工艺技术，新一代IGBT的效率和可靠性均有所提升，”Magnachip首席技术官Hyuk Woo表示。“我们将依托市场验证的技术和生产能力，继续拓展解决方案组合，以更好地满足客户的多元化需求。”.
