Nexperia FET GAN 在低压和高压应用中的应用 - Convertronic 电子杂志

细节: 类别：其他半导体; 2023年7月12日

Mouser 现推出 Nexperia 的增强型 (e-mode) 氮化镓功率场效应晶体管 (GaN FET)，适用于低压 (100-150 V) 和高压 (650 V) 应用。这些 GaN 功率 FET 通过降低导通损耗和开关损耗，显著提升了功率密度。这些 GaN 器件是消费电子和工业电源应用的理想之选，例如网络、自动化和通信基础设施。.

Nexperia 的 650V 增强型 GaN FET 提供 80 至 190 mΩ 的导通电阻 (RDS(on))，并有 5x6 mm 和 8x8 mm DFN 封装可供选择，可提高高低压 (<650V) 电信/数据通信、消费电子充电、太阳能和工业应用中的功率转换效率。它们还可用于设计具有更高扭矩和功率的无刷直流电机和精密微型服务器驱动器。Nexperia 还提供采用 WLCSP8 封装的 100V (3.2 mΩ) GaN FET 和采用 FCLGA 封装的 150V (7 mΩ) 器件。这些器件适用于各种低电压（<150 V）和高功率应用，例如，可为数据中心提供更高效的 DC-DC 转换器，为电动汽车和 USB Type-C™ 提供更快的充电速度，为更小的激光雷达收发器提供更小的激光雷达收发器，为噪声更低的 D 类音频放大器提供更低的噪声，并为手机、笔记本电脑和视频游戏机等更高功率密度的消费电子设备提供更高的功率密度。.

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