汽车原始设备制造商 (OEM) 持续面临着实现电气化目标的压力，而车辆成本、安全性、续航里程和充电基础设施的可用性仍然是电动汽车被更广泛消费者接受的障碍。Wolfspeed 的第五代技术旨在全面解决这些障碍，并为有源状态比电阻 (RSP) 树立了新的标杆，RSP 是衡量 MOSFET 有源芯片面积与效率关系的关键指标。第五代产品使系统架构师能够设计更紧凑的牵引逆变器，提高单次充电续航里程，并合​​理配置昂贵的电动汽车电池。此外，它们还通过用固态断路器取代机械继电器，为碳化硅 (SiC) 技术开辟了新的机遇，并为电动汽车充电基础设施设定了新的效率标准。其优势远不止于汽车行业，工业电源等应用领域同样能够充分利用第五代技术卓越的开关性能。.

实现碳化硅无与伦比的单位面积电流密度

与同类 5 x 5 mm 碳化硅 MOSFET 相比，基于第五代技术的系统能够在高温下实现更高的电流。Wolfspeed 对导通电阻 (RDS(ON)) 的持续优化解决了两个关键的设计难题：

与目前市场上同类1200V解决方案相比，该产品通过将RSP降低高达27%，显著改善了系统级导通损耗。1200V的QEM50120-25D10在175°C下实现了3.4 mΩ-cm²的芯片级RSP，而750V的QEM50075-025D10在175°C下实现了2.0 mΩ-cm²的芯片级RSP。
两个电压节点的RDS(ON)分布均低至±18%，从而降低了系统级设计裕量要求。

经久耐用的驾驶设计

Wolfspeed Gen 5 沿用了 Gen 4 技术平台引入的软体二极管，但其结温提升至 200°C（持续工作温度可达 215°C，但寿命有限），进一步彰显了 Wolfspeed 致力于帮助客户构建真正耐用系统的承诺。得益于软体二极管，MOSFET 在保持出色开关能量的同时，实现了基准级的导通电阻 (RDS(ON))；反向恢复电荷的进一步提升也降低了整体开关损耗。.

基于成熟的商业平台设计

第五代产品为客户提供了一条从设计集成到批量生产的直接、低风险路径，即使在人工智能需求日益增长的情况下，也不会影响汽车行业的生产准备。
这是 Wolfspeed 的第二代 MOSFET 技术，由 Wolfspeed 位于纽约州莫霍克谷的 200 毫米量产型器件制造工厂设计、制造和认证。新产品导入 (NPI)、样品制作和客户验证都将使用 200 毫米量产材料进行。此外，批量生产无需新的制造模具。

可用性和资源

部分客户可通过 Wolfspeed 的直销代表获取QEM50120-025D10和QEM50075-025D10的样品。随着市场需求和客户要求的逐步实现，预计 2026 年全年以及 2027 年初将持续推出 750V 至 1200V 的新产品。