东芝电子欧洲有限公司（简称“东芝”）宣布推出十二款基于其最新第三代技术的650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）。这些新型器件专为对效率要求极高的工业设备应用而设计，例如开关电源、电动汽车充电站和光伏逆变器。.
该系列新型器件被称为TRSxxx65H系列，采用了一种新型肖特基金属。第三代SiC肖特基势垒二极管（SBD）芯片优化了第二代产品的肖特基结势垒（JBS）结构，从而降低了肖特基界面处的电场强度和漏电流，最终提高了器件效率。.
第三代器件实现了出色的低正向电压 (VF)，典型值为 1.2 V。与第二代产品相比，电压降低了 17%。新款第三代产品还改进了 VF 与总容性负载 (QC) 之间的偏移，TRS6E65H 的典型值为 17 nC。.
与第二代产品相比，电压反向电流 (IR) 比也得到了改善，TRS6E65H 的典型 IR 值达到了 1.1µA。所有这些改进都降低了功耗，并有助于提高终端用户设备的效率。.
TRSxxx65H 系列器件能够承受高达 12 A 的直流正向电流 (IF(DC)) 和高达 640 A 的非重复方波浪涌电流 (IFSM)。其中七款新器件采用 TO-220-2L 封装，其余五款采用紧凑型扁平 DFN8×8 SMD 封装。.
ROHM 开发了 RS4P063BPHZG，这是一款 100V MOSFET，专为汽车安全功能和保护电路而优化。这款新产品采用标准 HPLF5060 封装，在宽电压范围内实现了业界领先*的宽 SOA（安全工作区）…….
ROHM 开发了第四代 650V IGBT，非常适合用于汽车行业的电动压缩机和高压加热器，以及工业设备中的逆变器。作为车规级 650V 产品，
ROHM 开发了一系列新型 600V 超强互连 MOSFET，即 R60xxXNx 和 R60xxWNx 系列。在数据中心和工业设备领域，随着处理负载的增加，功率需求持续增长，推动了强劲的发展…….
东芝电子欧洲有限公司（简称“东芝”）推出了TPM1R408RH，这是一款基于公司最新U-MOS11-H工艺技术的80V N沟道功率MOSFET。该产品专为数据中心设备的高效工业开关电源而设计…….
航天器的授时系统必须为导航、通信和科学仪器提供高度稳定和精确的信号，即使 GNSS 信号较弱或不可用。.
NOVOSENSE 微电子公司宣布推出 SP301H/L 系列，这是一个基于其专利第三代电容隔离技术的三通道数字隔离器系列。.
Navitas Semiconductor宣布推出其新型UHV-TO-247-4-ISO封装，为高性能分立式功率器件树立了新的标杆。该封装引脚间的漏电距离超过12毫米，集成隔离电压超过6000伏。
东芝电子欧洲有限公司（“东芝”）向市场推出了两款紧凑型四通道中速低功耗标准数字隔离器，适用于工业设备和消费电子产品。.
东芝电子欧洲有限公司（“东芝”）推出了九款采用三种小型高散热封装的新组件，扩展了其 N 沟道功率 MOSFET 产品线。.
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