东芝电子欧洲有限公司（“东芝”）推出了五款1200V碳化硅（SiC）MOSFET，这些MOSFET采用公司第三代SiC技术，可提高高压工业应用中的能源效率。这些MOSFET可用于电动汽车充电站、光伏逆变器、工业电源、不间断电源（UPS）以及双向或半桥DC-DC转换器等设备。.
东芝最新的SiC技术将栅极漏极电阻 x QGD (RDS(on) x QGD) 的FoM提高了80%以上，从而提高了功率转换拓扑的驱动和开关性能。.
此外，新型器件还集成了上一代产品中经过验证的肖特基势垒二极管（SBD）。集成的SBD通过克服内部寄生效应，维持器件稳定的导通电阻（RDS(on)），从而提高了SiC MOSFET的可靠性。.
此外，该产品具有-10V至25V的宽栅源电压范围，提高了在各种电路设计和应用条件下的灵活性。3.0V至5.0V的栅极阈值电压(VGS(th))范围确保了可预测的开关性能和最小的漂移，并简化了栅极驱动器的设计。.
第三代 SiC MOSFET 现已上市： TW015N120C、 TW030N120C、 TW045N120C、 TW060N120C 和 TW140N120C。这些器件的 RDS(on) 值从 15mΩ 到 140mΩ（典型值，VGS = 18V），漏极电流值从 20A 到 100A（直流，TC=25°C）。
所有器件均已全面投产，可向分销商订购，采用标准的 TO-247 电源封装。.
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