东芝电子欧洲有限公司（“东芝”）推出了一款额定电流为 20A 的 12V 共漏 N 沟道 MOSFET，用于锂离子 (Li-ion) 电池组的电池保护电路，例如智能手机、平板电脑、移动电源、小型数码相机、数码单反相机和其他类似应用中常用的电池组。.
锂离子电池的安全性得益于强大的保护电路，这些电路能够最大限度地减少充放电过程中产生的热量。为了达到所需的充电性能，这些电路必须具有低功耗。考虑到这些解决方案的紧凑性，合适的 MOSFET 必须尺寸小、厚度薄，同时还要具有低结电阻。.
新款 20 A SSM14N956L 专为 12 V 源源电压 (VSSS) 设计，并采用与之前发布的 13.5 A SSM10N954L 相同的东芝微处理器。这确保了其优异的低导通电阻 (RSS(ON)) 特性，低至 1 mΩ，从而降低了导通损耗。此外，该工艺还实现了 ±1 µA（最大值）的低栅源漏电流 (IGSS)，从而在待机模式下实现了低功耗。这些特性共同作用，延长了电池的充电续航时间。.
为了适应这些应用中有限的空间，新型 SSM14N956L 设计为芯片级封装，称为 TCSPED-302701。其尺寸仅为 2.74 毫米 x 3.0 毫米，典型高度仅为 0.085 毫米。.
西班牙电子产品杂志。出版超过25年。.
西班牙 - 马德里 - 版权所有 © Convertronic 专业西班牙电子杂志。.
