主要应用领域包括数据中心、通信基站和其他高端工业设备。得益于先进的 100V U-MOS11-H 工艺，TPH2R70AR5 相较于采用现有 U-MOSX-H 工艺制造的器件具有显著的性能优势。例如，与上一代 TPH3R10AQM 相比，漏源电阻 (RDS(ON)) 降低了约 8%，最大仅为 2.7 mΩ，而栅漏电荷 (Qg) 则降低了 37%，典型值为 52 nC。因此，品质因数 (FoM) RDS(ON) x Qg 提高了 42%。此外，TPH2R70AR5 通过应用寿命控制技术实现了高速体二极管性能。因此，与 TPH3R10AQM 相比，开关速度更快，二极管恢复时间和噪声更低。寿命控制技术还将反向恢复电荷 (Qrr) 降低至 55 nC（典型值），并抑制电压尖峰。导通电阻 (RDS(ON)) 与 Qrr 的比值提高了 43%。这些出色的 RDS(ON)、栅极电压 (Qg) 和 Qrr 特性降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了电源相关应用的效率。这降低了运营成本，并实现了更高的功率密度。该器件采用尺寸仅为 5.15 mm x 6.1 mm 的 Advance (N) SOP 封装，与行业标准具有出色的安装兼容性。新型 TPH2R70AR5 在 25 °C 环境温度下的最大漏极电流 (ID) 为 190 A。该器件可在高达 175 °C 的沟道温度 (Tch) 下工作，从而减少了对冷却措施的需求。东芝还提供电路设计支持工具：G0 SPICE 模型，可快速验证电路运行；以及高精度 G2 SPICE 模型，可精确再现瞬态特性。所有支持工具现在都可以从东芝网站免费下载。









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