新型 SOP Advance(E) 封装相比东芝现有的 SOP Advance(N) 封装有了显著改进，封装电阻降低了约 65%，热阻降低了约 15%。这些封装改进直接转化为更优异的器件性能。80V TPM1R908QM 的漏源电阻 (RDS(ON)) 比东芝现有产品 TPH2R408QM 在相同额定电压下降低了约 21%，沟道-外壳热阻 (Rth(ch-c)) 降低了约 15%。同样，150V TPM7R10CQ5 的 RDS(ON) 比东芝现有产品 TPH9R00CQ5 在相同额定电压下降低了约 21%，Rth(ch-c) 。TPM7R10CQ5 配备了高速体二极管，以提高同步整流效率。
通过提高热阻，降低导通电阻并抑制温升，即使考虑到正温度特性，也能降低整体导通电阻。这种组合最终能够降低关键应用中的损耗并提高效率，例如用于工业设备的开关电源，包括为数据中心和通信基站供电的电源。.
TPM1R908QM的漏源电压 (V <sub>DSS</sub> ) 为 80 V，漏极电流 (I<sub> D </sub> ) 为 238 A (T<sub>c</sub>=25 °C)，最大导通电阻 R<sub>DS( ON )</sub> 为 1.9 mΩ (V <sub>GS</sub> =10 V)。TPM7R10CQ5 的V <sub> DSS </sub> 为 150 V，I<sub> D</sub>为 120 A (T<sub>c</sub>=25 °C)，最大导通电阻 R<sub>DS( ON )</sub> 为 7.1 mΩ (V <sub>GS</sub> =10 V)。两款产品的通道温度 (T<sub>ch</sub>) 均为 175 °C，通道-温度比 (R<sub>th</sub> (ch-c))均为 0.6 °C/W (T<sub>c</sub>=25 °C)。Advance(E) SOP 封装的典型尺寸为 4.9 mm × 6.1 mm。
为了进一步方便开关电源的电路设计，东芝还提供 G0 SPICE 模型，用于快速验证电路运行情况，以及高精度 G2 SPICE 模型，可精确再现瞬态特性。.
