瑞萨电子推出一款面向人工智能数据中心的650V双面散热氮化镓(GaN)芯片
瑞萨电子推出了TP65H020G4PLSGBD,这是一款650V GaN器件,专为人工智能数据中心800V HVDC架构中使用的高密度电源转换系统而开发。.
StarPower Semiconductor Ltd. 是 Media MicroComputer 的合作伙伴,也是 Steliau Technology-EUROPE 集团旗下品牌,提供全面的 62mm SiC 模块产品线,为已上市多年的 IGBT 解决方案提供了一种智能替代方案。StarPower
提供一系列采用行业标准 62mm 封装的全 SiC 半桥模块,这些模块已在市场设计和产品中经过广泛测试。
主要型号如下:

StarPower 设计的这些型号采用半桥拓扑结构,使用 SiC MOSFET,利用 MOSFET 本体内部的二极管实现反向导通。.
为确保样品和标准批量生产产品的最高可靠性,所有 62 毫米 SiC 模块均需进行烧结处理。此外,可根据客户要求实现高达 6.5 kV 的绝缘电压。.
Media MicroComputer 深知应用需求往往多种多样。有些应用可能需要低导通损耗和低导通电阻 (Rth),有些则需要低开关损耗,还有一些应用则需要针对价格敏感型应用优化性价比。为了确保客户能够充分发挥 SiC 的潜力来满足自身需求,StarPower 可在现有设计基础上提供完全的灵活性,无需额外的模具成本。这使我们能够设计出导通电阻 (Rdson) 更高、导通电流 (ID) 更低的模块,从而降低模块成本;或者设计出开关损耗更低、导通电阻 (Rdson) 更高的
模块。这仅仅是 StarPower 众多优势中的一小部分。自 2005 年以来,我们一直致力于设计和制造 IGBT 模块和定制模块,应用于逆变器、焊接设备、感应加热、UPS、电动汽车、太阳能/风能发电以及其他需要 10kW 至 1MW 或更高功率输出的应用领域。
为了帮助客户根据自身应用需求定制模块,Media MicroComputer 的工程师和位于瑞士卡德纳佐的 StarPower Europe AG 的工程师将提供他们的知识和经验,以获得最佳效果。.
瑞萨电子推出了TP65H020G4PLSGBD,这是一款650V GaN器件,专为人工智能数据中心800V HVDC架构中使用的高密度电源转换系统而开发。.
ROHM 开发了 RS4P063BPHZG,这是一款 100V MOSFET,专为汽车安全功能和保护电路而优化。这款新产品采用标准 HPLF5060 封装,在宽电压范围内实现了业界领先*的宽 SOA(安全工作区)…….
ROHM 开发了第四代 650V IGBT,非常适合用于汽车行业的电动压缩机和高压加热器,以及工业设备中的逆变器。作为车规级 650V 产品,
ROHM 开发了一系列新型 600V 超强互连 MOSFET,即 R60xxXNx 和 R60xxWNx 系列。在数据中心和工业设备领域,随着处理负载的增加,功率需求持续增长,推动了强劲的发展…….
东芝电子欧洲有限公司(简称“东芝”)推出了TPM1R408RH,这是一款基于公司最新U-MOS11-H工艺技术的80V N沟道功率MOSFET。该产品专为数据中心设备的高效工业开关电源而设计…….
航天器的授时系统必须为导航、通信和科学仪器提供高度稳定和精确的信号,即使 GNSS 信号较弱或不可用。.
NOVOSENSE 微电子公司宣布推出 SP301H/L 系列,这是一个基于其专利第三代电容隔离技术的三通道数字隔离器系列。.
Navitas Semiconductor宣布推出其新型UHV-TO-247-4-ISO封装,为高性能分立式功率器件树立了新的标杆。该封装引脚间的漏电距离超过12毫米,集成隔离电压超过6000伏。
东芝电子欧洲有限公司(“东芝”)向市场推出了两款紧凑型四通道中速低功耗标准数字隔离器,适用于工业设备和消费电子产品。.
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