ROHM 宣布推出新的 3 级 (L3) SPICE 模型，这些模型可提供显著改进的收敛性和更快的仿真性能。.
由于功率半导体损耗对系统整体效率影响显著，因此设计阶段的仿真精度至关重要。ROHM 此前推出的 SiC MOSFET 一级 (L1) SPICE 模型通过精确再现关键器件特性，满足了这一需求。.
然而，仿真收敛性和计算时间过长等问题暴露出需要改进它们。.
新的L3模型采用了一种简化的方法，在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，与L1模型相比，仿真时间缩短了约50%。这使得对完整电路进行高精度瞬态分析的速度显著提升，从而加快了应用设计阶段的器件评估和损耗分析。.
自 2025 年 4 月起，ROHM 已发布了 37 款第四代 SiC MOSFET 的 L3 模型，用户现在可以直接从各产品页面的“模型与工具”部分下载。L1 模型将继续与新版本一同提供。此外，ROHM 还提供了一份全面的白皮书，以帮助用户更好地进行模型部署。.
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