尽管二极管种类繁多，但高效肖特基势垒二极管（SBD）在各种应用中的使用日益广泛。特别是，采用沟槽MOS结构的SBD，其正向电压（VF）低于平面型SBD，因此在整流应用中效率更高。然而，沟槽MOS结构的缺点之一是其开关时间（trr）通常比平面拓扑结构更差，导致开关应用时功率损耗更大。.
为此，ROHM 开发了一个新系列，该系列采用获得专利的沟槽 MOS 结构，可同时降低 VF 和 IR（二者之间存在补偿关系），同时实现一流的 trr。.
YQ系列是ROHM首款采用沟槽MOS结构的器件，扩展了现有的四款传统SBD产品系列，旨在满足各种应用需求。这项专利设计实现了15 ns的领先水平的trr，与普通沟槽MOS产品相比，trr损耗降低了约37%，整体开关损耗降低了约26%，从而有助于降低应用中的功耗。与传统的平面SBD相比，新结构还改善了VF和IR损耗。这使得在正向偏置应用（例如整流）中使用时，功耗更低，同时降低了热失控的风险——热失控是SBD的一个主要问题。因此，它们非常适合需要高速开关的组件，例如汽车LED前大灯的驱动电路和电动汽车（xEV）中的DC-DC转换器，这些组件往往会产生热量。.
未来，ROHM 将致力于进一步提高其从低压到高压半导体器件的质量，同时继续加强其广泛的产品范围，以进一步降低功耗并实现更大的小型化。.
SBD沟槽MOS结构：
沟槽MOS结构通过在晶圆外延层中用多晶硅形成沟槽来降低电场集中。这降低了晶圆外延层的电阻，从而在施加正向电压时降低了正向电压（VF）。同时，在反向偏置期间，电场集中也被最小化，从而显著降低了惯性电阻（IR）。因此，与传统产品相比，YQ系列器件的VF和IR分别降低了约7%和82%。
与典型的沟槽式MOS结构（由于寄生电容（器件中的电阻分量）较高，其传输延迟时间(trr)通常比平面型更差）不同，YQ系列采用独特的结构设计，实现了业界领先的15 ns trr。这降低了约26%的开关损耗，并有助于降低应用中的功耗。.
应用实例
• 汽车用LED前大灯
• 电动汽车用DC-DC转换器
• 工业设备电源
• 照明
范围
产品页面及相关信息：
ROHM 网站上提供了应用笔记，重点介绍这些新产品在电路中的优势，以及详细介绍各 SBD 系列特性的白皮书。此外，网站还提供了一个专门的 SBD 页面，用户可以通过输入电压条件和其他参数来筛选产品选项，从而简化设计过程中的选择流程。点击以下网址了解更多信息。
ROHM SBD 产品页面
https://www.rohm.com/products/diodes/schottky-barrier-diodes
应用笔记
优势：用于汽车电源转换的紧凑型、高效率肖特基势垒二极管
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-e.pdf
白皮书：
ROHM 的 SBD 产品系列助力汽车、工业和消费电子行业设备实现更小巧化和更低损耗
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-e.pdf
