新型 TBD62783A 系列双极晶体管阵列继承了 TD62783 系列双极晶体管阵列的成功,降低了 40% 的功率损耗,并广泛应用于包括 LED 单元在内的各种应用中。.

东芝还将推出 TBD62083A 系列,该系列采用漏输出 DMOS FET 驱动器[4],是 TD62083 系列双极晶体管阵列的后续产品,适用于电机、继电器和 LED 驱动器等应用。

客户对电源和开关控制器等集源输出和漏输出于一体的系统需求日益增长。东芝推出的这些新型器件,采用DMOS FET晶体管阵列,可同时满足这两种输出类型的需求。.

新型器件无需基极电流即可工作,从而降低了浪涌电流。此外,DMOS FET 器件能够在保持低电阻的同时承受高电流密度,因此能够提高效率并降低功率损耗。.

所有设备均支持高压、大电流控制,最大绝对输出额定值为 50V / 0.5A。.

这些器件提供多种封装形式,包括用于表面贴装应用的 SOP18、DIP18 和 SOL18,以及用于空间受限设计的 SSOP18(0.65mm 间距)。.

为了实现这些器件所展现的高集成度,东芝采用了最新的BICD技术[5]。该公司将其定位为未来在其标准8英寸生产线上制造模拟集成电路的发展趋势,8英寸晶圆尺寸是业内广泛用于大规模生产的晶圆尺寸。.

注释:
[1] 东芝调查,截至2015年9月29日。
[2] DMOS FET:双扩散MOSFET。
[3] 源极输出:推型输出电流。
[4] 接收器输出:拉型输出电流。
[5] BiCD:一种能够集成双极型、CMOS和DMOS器件的工艺技术。

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