这些应用包括安全通信、导弹系统、弹药以及其他在严苛环境下需要较宽温度范围的应用。.
“Microsemi的DDR3 SDRAM封装进一步巩固了我们在高可靠性、广泛应用的定制和标准内存解决方案方面的市场领先地位，”Microsemi市场总监Jack Bogdanski表示。“我们在军工和航空航天应用封装技术领域拥有超过三十年的经验。我们将继续专注于为客户提供高性能、高可靠性的解决方案，以应对空间和密度方面的挑战。”.
Microsemi 的商用 DDR3 SDRAM 器件为客户提供了一种高密度、独立的内存解决方案，同时满足其应用的数据宽度要求。与分立元件内存系统相比，这些 DDR3 器件显著降低了空间占用，并且比芯片级封装 (CSP) 和其他单芯片半导体解决方案占用更少的电路板空间。这些内存器件还简化了 I/O 布线并减少了元件数量，同时保持了卓越的信号完整性。.
主要特性：
- 容量 – 1 GB，9 Gbps。可扩展至 4 GB。-
尺寸仅为 20.5 mm x 21.5 mm。-
采用 375 PBGA 封装。-
与基于分立元件的同等容量解决方案相比，可节省 30% 的空间，并减少 21% 的 I/O 布线。-
支持 800、1066 和 1333 Mb/s 的数据传输速率。-
采用 1.5 V 单电源供电。-
提供商用和工业级温度范围。
Microsemi 的高速存储器采用 4ns 预取架构和每个时钟周期可传输两个字数据的接口，从而优化了性能。这些器件可进行防篡改处理，并提供高达 4GB 的容量，采用 2x256Mx72 配置。该公司计划推出一款低矮型选项，其封装尺寸与现有的 375 PBGA 封装兼容。所有器件均经过全面的环境和热测试。.
