由于制造工艺的改进,新型 IR 3x3 PQFN 封装在紧凑的尺寸下,充电电流比标准 3x3 PQFN 器件高出 60%,同时封装整体电阻显著降低,实现了极低的导通电阻 (RDS(on))。此外,新型 PQFN 封装还具有更高的导热性,并已通过行业标准认证,符合湿度敏感等级 1 (MSL1) 标准。.


FamilyMosfetcuadrop高性能 PQFN 封装技术也应用于 5 x 6 mm 尺寸的器件,与标准 5 x 6 PQFN 器件相比,该技术能够满足更高电流需求,同时保持更小的尺寸。
该系列器件包括针对控制 MOSFET 应用优化的器件,其特点是栅极电阻 (Rg) 低,从而降低开关损耗。对于同步 MOSFET 应用,该系列器件采用 FETKY 配置(单片 FET 和肖特基二极管),通过缩短反向恢复时间,提供更高的效率和 EMI 性能。
这些器件的封装高度小于 1 mm,与现有的表面贴装技术兼容,采用标准尺寸,并符合 RoHS 标准。

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