这些低成本的 512Kb 和 1Mb SPI 器件延续了该公司产品一贯的低功耗和小型 8 引脚封装特性。采用四路 SPI 或 SQI™ 协议，传输速度最高可达 80 Mbps，实现零写入周期和近乎瞬时的数据传输，这对于图形下载、数据缓冲、数据记录、显示、数学计算以及音频和视频等大容量数据处理功能至关重要。.
该系列的另外两款产品 23LCV512 和 23LCV1024 是市场上性价比最高的非易失性 RAM 解决方案，它们拥有无限的电池续航时间，并且成本远低于其他任何类型的非易失性 RAM。凭借其高速 40 Mbps 双 SPI (SDI) 端口以及极低的运行电流和睡眠电流，这些串行 NVSRAM 器件无需像并行 NVSRAM 那样拥有大量的引脚，即可实现高速传输，并且功耗与 FRAM 相当，价格却低得多。这对于计数器、黑匣子和其他需要无限或瞬时写入以及非易失性存储的数据记录器等应用来说非常有利。.
这些新型 1 Mbit SRAM 使嵌入式产品设计人员能够以远低于采用更大尺寸微控制器或处理器的成本提供更大的 RAM，并且与并行 SRAM 相比，功耗更低、引脚更少、成本更低。SPI 接口的集成使这些 SRAM 能够适应串行接口的发展趋势。EEPROM 市场已完全转向串行接口，而闪存市场也正由于并行器件成本更高、占用电路板空间更大、功耗更高而迅速进行转型。
该新型串行 SRAM 系列包含六款器件，采用 8 引脚 SOIC、TSSOP 和 PDIP 封装，容量分别为 512 Kbit 和 1 Mbit。其中四款易失性器件（23A512、23LC512、23A1024 和 23LC1024）已提供样品和批量生产，而两款非易失性器件（23LCV512 和 23LCV1024）预计将于 10 月份提供样品和批量生产。
