随着便携式设备日益小型化,元件尺寸成为关键参数:Si8800EDB 比市面上其他芯片级 N 沟道器件小 36%,薄 11%。Si8800EDB
采用芯片级封装,表面电阻极低。其最大导通电阻在 4.5 V、2.5 V、1.8 V 和 1.5 V 下分别为 80 mW、90 mW、105 mW 和 150 mW。Si8800EDB 的
典型静电放电防护等级为 1500 V,符合 RoHS 指令 (2002/95/EC),并符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤素要求。
该 MOSFET 的典型应用包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器等设备。