该器件采用分栅单元设计和隧道注入器，并具有厚氧化层，以提高可靠性和可制造性。该器件符合 JEDEC x16 存储器引脚分配标准。.
这款并行访问闪存的工作电压范围为 2.7 至 3.6V，具有快速的读写速度和先进的保护功能，在各种应用中表现出色。内存被划分为统一的 32K 字块和非统一的
8K 字块，提供灵活的擦除选项，并可对程序代码和数据进行完全分区。
SST38VF6401B 并行访问闪存提供高性能和灵活的读写选项，包括 70 ns 的随机读取时间、25 ns 的页读取时间、高达 18 ms 的扇区和块擦除时间、40 ms 的闪存芯片完整擦除时间、7 µs 的字编程时间以及 1.75 µs（典型值）的写入缓冲区编程时间。该器件具有卓越的可靠性，典型寿命可达 100,000 次循环，数据保持时间超过 100 年。在 5 MHz 频率下，其工作读取电流仅为 25 mA（典型值），待机电流仅为 5 µA（典型值）。SST38VF6401B 还提供多种级别的保护和安全功能，例如安全 ID、硬件启动块保护、独立块保护、密码保护和不可逆块锁定。
该器件在消费电子、汽车和工业等众多应用领域表现出色。终端用户应用示例包括机顶盒、多功能打印机和数字电视，以及车载音频、视频和信息娱乐产品。此外，这种并行访问闪存设备也非常适合网络和工业应用，例如网关、交换机和工业控制设备。
SST38VF6401B 器件现已提供样品和批量生产，并采用 48 引脚 TSSOP 和 48 球 TFBGA 封装。.
