新型 TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z 和 TK190E65Z MOSFET 的漏源电阻 (RDSON)× 漏栅电荷 (Qgd)相比上一代 DTMOS 器件降低了 40%。这意味着与早期器件相比，开关损耗显著降低。因此，采用这些新型器件的设计将获得更高的效率。性能提升适用于新设计以及现有设计的升级。
 
这四款新型器件的漏源电压 (V<sub>DSS</sub>) 高达 650 V，漏极电流 (I<sub>D) 可达 30 A。漏源导通电阻 (R<sub>DSON</sub>) 低至 0.09 Ω，栅极漏极电荷 (Q<sub>gd</sub>) 低至 7.1 nC，从而实现高速低损耗运行。所有器件均采用行业标准的 TO-220 通孔封装。
 
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