新型 PQFN2x2 和 PQFN3.3x3.3 双封装器件，每个封装内集成一对功率 MOSFET，可灵活选择共漏极或半桥拓扑结构。这些器件采用 IR 最先进的低压硅（N 型和 P 型）技术，具有极低的损耗。例如，IRLHS6276 在仅 4 mm² 的封装面积内集成了两个 MOSFET，每个 MOSFET 的典型导通电阻 (RDS(on)) 为 33 mΩ。2.
新型双 PQFN 器件为客户提供了一种高密度、高性价比的开关和直流应用解决方案。随着这些新型封装的推出，IR 提供全面的低压 PQFN 产品组合，包括单沟道和双沟道 N 沟道和 P 沟道器件，控制电压分别为 20 V 和 30 V、4.5 V 或 2.5 V（最小），所有器件均具有极低的导通电阻 (RDS(on))。
双 PQFN 系列包含针对负载开关高电位侧优化的 P 沟道器件，可提供更简便的控制方案。这些超薄器件的封装尺寸小于 1 mm，兼容现有的表面贴装技术，采用标准封装尺寸，并符合 RoHS 标准。
