该系列采用成熟的IR平面技术的新器件包括标准的55V和150V栅极控制N沟道MOSFET，以及适用于无需电荷泵进行栅极控制的高电位开关应用的标准-55V和-100V栅极控制P沟道MOSFET。30V、55V和100V逻辑电平栅极控制N沟道MOSFET简化了栅极控制要求，有助于减少电路板空间和元件数量。所有新器件均针对低导通电阻(RDS(on))进行了优化。.

这些设备已获得 AEC-Q101 标准的认证，采用一系列环保、无铅且符合 RoHS 标准的材料，是 IR 专注于汽车行业的“零缺陷”计划的一部分。.

所有IR汽车MOSFET均需经过动态和静态器件平均测试，以及100%自动化晶圆目视检测，这是IR汽车质量计划的一部分，旨在实现零缺陷。AEC-Q101认证要求在1000次温度循环测试后，导通电阻(RDS(on))的偏差不得超过20%。然而，在更长时间的测试中，IR的新型AU物料清单(BOM)在5000次温度循环测试中，导通电阻(RDS(on))的最大偏差仅为12%，充分展现了该物料清单的稳健性和可靠性。.

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