慎重

细节: 类别：谨慎; 2015年11月10日

富士通 okt15 rut 内存芯片 Rutronik公司推出富士通公司最新研发的1Mbit SPI FRAM超小型存储芯片。它是传感器和可穿戴设备市场中对功耗要求极高的微型应用的理想解决方案。.

细节: 类别：谨慎; 2015年11月2日

东芝电子欧洲公司推出了一系列新的 24nm SLC NAND 闪存产品，适用于嵌入式应用，并兼容广泛使用的串行外设 (SPI) 接口。.

细节: 类别：谨慎; 2015年10月2日

最新的 JEDEC 5.1 版本定义了许多新的和改进的功能，这些功能对智能手机和其他智能设备的设计人员来说非常有用。.

细节: 类别：谨慎; 2015年8月5日

英特尔公司和美光科技公司推出了 3D XPoint™ 技术，这是一种非易失性存储器，它有可能彻底改变任何受益于快速访问大型数据集的设备、应用程序或服务。.

细节: 类别：谨慎; 2015年6月15日

Maxim Integrated Products, Inc. 的 Gamma Radiation Resistant 1-Wire® DS28E80 非易失性 (NV) 存储器，使校准耗材医疗传感器变得容易，并可监控或控制一次性医疗产品的不卫生重复使用。.

细节: 类别：谨慎; 2015年5月18日

Crucial 发布了全新 Ballistix Sport 和 Ballistix Tactical DDR4 内存条，专为优化游戏性能而设计。这两款全新游戏内存条兼具时尚外观、DDR4 内存的强大性能以及游戏玩家所需的可靠性，助其在竞技中称霸。.

细节: 类别：谨慎; 2015年3月31日

东芝公司宣布开发出首款采用三维堆叠单元结构[2]的48层闪存[1] BiCS，这是一款128千兆位设备，每个单元有2位（16千兆字节）。.

细节: 类别：谨慎; 2015年2月23日

e2v 公司宣布推出 EV25Q128-EP 的 EP（增强产品）版本，这是一款具有高速串行总线接口的 NOR 闪存，与 SPI 兼容。.

细节: 类别：谨慎; 2014年9月26日

Alliance Memory 今日发布了一系列高速移动 CMOS DDR DRAM（DDR SDRAM），旨在提高小型便携设备的效率并延长电池续航时间。该系列产品功耗低至 1.7V 至 1.95V，并具备多种节能特性，容量分别为 256MB、512MB、1GB 和 2GB，采用 8mm x 9mm 60 球和 8mm x 13mm 90 球 FPBGA 封装。.