慎重

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类别： 谨慎

2011年9月6日

Microsemi公司宣布推出一款9Gb DDR3 SDRAM内存器件，这是首款采用单PBGA（塑料球栅阵列）封装的紧凑型双DIMM（双列直插式内存模块）x72配置的同类产品。该解决方案使设计人员能够在用于关键任务应用的更小、更快的系统中集成高达4GB的内存。.

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类别： 谨慎

2011年9月6日

赛普拉斯半导体公司宣布推出密度高达 72 Mbit 的 FIFO 存储器。这些来自赛普拉斯的新型高密度 (HD) FIFO 存储器特别适用于需要高密度和高频率以实现有效缓冲的视频和图像应用。.

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类别： 谨慎

2011年6月29日

国际整流器公司 (IR) 推出了一系列汽车级平面 MOSFET，旨在满足混合动力和纯电动汽车平台内燃机 (ICE) 的各种应用需求。.

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类别： 谨慎

2011年6月21日

国际整流器公司推出了一款 2mm x 2mm PQFN 封装，扩展了其封装产品线。该封装采用最先进的 IR 硅技术，适用于 HEXFET® MOSFET，^是 一款超紧凑、高效、高密度的解决方案，旨在满足各种低功耗应用的需求，包括高级移动电话（智能手机）、平板电脑、录像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和通信网络设备。

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类别： 谨慎

2011年5月13日

赛普拉斯半导体公司推出新型串行非易失性随机存取存储器（nvSRAM），提供I2C和SPI接口，广泛应用于计量、工业和汽车领域。这些新型器件的SPI工作频率最高可达104MHz（I2C产品为3.4MHz），并可选配集成实时时钟（RTC），支持关键数据的时间戳功能。.

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类别： 谨慎

2011年5月13日

国际整流器公司 (IR) 扩大了其高可靠性肖特基整流器的产品范围，这些产品符合国防后勤局 (DLA) 陆地和海上合格产品清单 (QPL)，适用于卫星总线电源系统和有效载荷电源等空间应用。.

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类别： 谨慎

2010年12月14日

国际整流器公司 (IR®) 在 2010 年慕尼黑电子展上宣布推出一系列 25V 和 30V 器件，这些器件采用 IR 最先进的硅 HEXFET® MOSFET，封装在 3x3 PQFN 封装中，为电信、通信网络和笔记本电脑等高端台式机和笔记本电脑应用提供高密度、可靠和高效的 DC/DC 转换器解决方案。.

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类别： 谨慎

2010年11月25日

国际整流器公司扩展了其 SupIRBuck™ 系列集成负载点 (POL) 电压调节器，用于高性能服务器、存储和通信网络中的节能应用。.

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类别： 谨慎

2010年10月18日

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出 Si8800EDB 20-V MICRO FOOT® 芯片级 N 沟道功率 MOSFET，其表面积为 0.8 mm x 0.8 mm，厚度为 0.357 mm，其应用目标是便携式电子设备。.