瑞萨电子开发了一种新型 MOSFET 晶圆制造工艺 (REXFET-1),该工艺可将新型器件的导通电阻(MOSFET 导通时漏极和源极之间的电阻)大幅降低 30%。更低的导通电阻有助于显著降低客户设计中的功率损耗。
此外,REXFET-1 工艺还使新型 MOSFET 的栅极电压 (Qg) 特性(向栅极施加电压所需的电荷量)降低 10%,栅极漏极电压 (Qgd) 特性(米勒平台期必须注入栅极的电荷量)降低 40%。

除了卓越的电气特性外,瑞萨电子新推出的 RBA300N10EANS 和 RBA300N10EHPF 还采用符合行业标准的 TOLL 和 TOLG 封装,兼容第三方器件,且尺寸比传统的 TO-263 封装小 50%。此外,TOLL 封装还具有可润湿边缘,便于光学检测。