目标应用包括EPS、DC-DC转换器和负载开关。
每款器件均采用TO-220SM(W)封装，并使用U-MOSVIII-H工艺制造芯片，通过全新的内部铜连接器将封装电阻降至极限。这使得器件在VGSRDS ( on
= 10V时实现了业界领先的导通电阻。TK200F04N1L的RDS(on)典型值为0.78mΩ， TK160F10N1的 。
)典型值为2.0mΩ
两款器件均具有极低的沟道温度比Rth ( ch-c) = 0.4°C/W（最大值）和175°C的最大沟道温度比。
这些新型MOSFET具有最高的效率和最低的发热量。此外，与上一代产品相比，U-MOSVIII-H工艺还提高了开关纹波抑制能力，这有助于降低应用中的EMI噪声。
TK160F10N1 和 TK200F04N1L 将满足 AEC-Q101 汽车认证要求。

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