Microchip Technology Inc.宣布扩展其SiC产品组合，推出3.3 kV SiC MOSFET，该MOSFET具有市场上最低的导通电阻[RDS(on)]，以及SiC肖特基势垒二极管(SBD)，其额定电流最高，使设计人员能够充分利用其稳健性、可靠性和高性能。凭借这一扩展的SiC产品组合，Microchip的设计人员拥有了开发更小、更轻、更高效的解决方案的工具，这些解决方案适用于电动交通、可再生能源、航空航天和工业应用。
许多基于硅的设计在最大效率、系统成本降低和应用创新方面已达到极限。虽然高压SiC是实现这些目标的成熟替代方案，但此前3.3 kV SiC功率器件的供应一直有限。 Microchip 的 3.3 kV MOSFET 和 SBD 加入了该公司全面的 SiC 解决方案目录，其中包括用于 700V、1200V 和 1700V 的未封装分立器件、模块和数字栅极驱动器。
Microchip 的 3.3 kV SiC 功率器件包括导通电阻 (RDS(on)) 低至 25 mΩ 的 MOSFET（目前市场上最低）和额定电流高达 90 A 的 SBD（目前市场上最高）。MOSFET 和 SBD 均提供封装和裸封装两种选择。这些全新的性能水平使设计人员能够简化设计，构建更高功率的系统，并使用更少的并联元件，从而实现更小巧、更轻便、更高效的电源解决方案。Microchip
分立产品业务部副总裁 Leon Gross 表示：“我们专注于研发能够帮助客户快速将创新技术融入其系统并提升终端产品竞争优势的产品。我们全新的 3.3 kV SiC 功率产品系列使客户能够轻松、快速、自信地采用高压 SiC 技术，并充分利用这项先进技术相较于硅基设计的诸多优势。”
Microchip宣布将在未来三年内生产数百种SiC功率器件和解决方案，确保设计人员能够找到满足其应用需求的电压、电流和封装的最佳组合。Microchip的所有SiC MOSFET和SBD均以客户信赖为设计理念，提供市场上最高的稳健性和可靠性。公司遵循客户定义的淘汰策略，确保只要客户需要且Microchip能够生产，这些器件就会持续生产。
客户可以将Microchip的SiC产品与其他Microchip器件（例如8位、16位和32位微控制器、电源管理器件、模拟传感器、触摸和手势控制器以及无线连接解决方案）结合使用，以更低的总体拥有成本构建完整的系统。开发工具
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扩展后的SiC器件产品组合由一系列适用于SiC的SPICE模型提供支持，这些模型与MPLAB® Mindi™模拟仿真模块和Microchip控制板参考设计兼容。智能配置工具 (ICT) 使设计人员能够为 Microchip 的 AgileSwitch® 系列可配置数字栅极驱动器开发高效的 SiC 栅极驱动器模型。
供货情况：
这些未封装的 3.3 kV 分立式 SiC 器件现已接受量产订单，并提供多种封装选项。
