随着 USB 接口的普及，许多兼容 USB 标准的组件和设备应运而生。USB 电源传输 (USB PD) 标准支持更高的功率等级，从 15 W (5 V/3 A) 到最高 240 W (48 V/5 A)，并允许在供电端和接收端之间切换。这就要求 USB 充电设备支持双向供电，而这正是新型 SSM10N961L N 沟道共漏极 MOSFET 的设计初衷。此前，东芝的 N 沟道共漏极 MOSFET 产品均为 12 V 产品，主要用于保护智能手机中的锂离子 (Li-ion) 电池组。这款新型 30 V 产品可用于需要高于 12 V 电压的应用，例如 USB 充电设备电源线的负载切换以及保护电池供电设备的锂离子电池组。SSM10N961L采用共漏极配置，将两个 N 沟道 MOSFET 组合在一起，从而实现双向供电。其源极间击穿电压 (V(BR)SSS) 为 30 V，使其适用于笔记本电脑和平板电脑等高电压应用。为最大限度降低各种应用中的损耗，其源极间导通电阻 (RSS(ON)) 通常为 9.9 mΩ。当安装在 18 µm、407 mm² 的铜焊盘上时，该器件的额定电流为 9.0 A。将焊盘尺寸和厚度增加到 70 µm 和 687.5 mm²，额定电流可提升至 14.0 A。尽管 SSM10N961L 具有强大的功率控制能力，但该器件仍采用尺寸仅为 3.37 mm × 1.47 mm × 0.11 mm 的小型超薄封装 (TCSPAG-341501)，从而能够开发高密度解决方案。将该新型器件与 TCK42xG 驱动 IC 结合使用，可以构建具有回流防止功能的负载切换电路，或能够在不同生产操作之间切换的功率多路复用器电路。先断后合（MBB - 先合后断）和先合后断（BBM - 先合后断）等操作均可 实现。
Analog Devices 的 A²B 2.0：带以太网接口、更高带宽和更低延迟的汽车音频解决方案
Analog Devices公司宣布，其A²B 2.0（汽车音频总线）现已准备就绪，可投入生产。作为ADI A²B技术的最新发展，A²B 2.0旨在帮助汽车行业的原始设备制造商（OEM）和一级供应商…….
