ir7004 hres-w该器件使用功率 MOSFET 或 IGBT 测量高电流(10-100A),通常需要大电阻,导致过大的功率损耗(10-30W)。IR25750 通过在开关导通期间提取功率 MOSFET 内部导通电阻 Rds(on) 或 IGBT 导通电压 VCE(on) 来测量电流,从而无需使用大型外部电流检测电阻和散热器,从而避免了这些过大的功率损耗。IR25750
 
的栅极驱动输入端为 IC 提供 VCC 电源电压,并将 Rds(on) 或 VCE(on) 检测电路与 MOSFET 或 IGBT 的导通和关断时间同步。利用 IR 的专有高压技术,该器件还具有 600V 阻断能力,用于在关断期间阻断高 VDS 或 VCE 电压。其他重要特性包括低栅极输入电容、内部滤波器导通延迟(通常为 200 ns)以及 GATE 和 CS 引脚上的 20.8 V 阻断稳压二极管。
 
这款新型电流检测 IC 是一款创新的功能模块,它利用功率 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 或 IGBT 的导通电压 VCE(on) 来测量电流,从而无需外部电流检测电阻。这些特性显著提高了效率,并大幅节省了高电流应用(例如开关电源电子、电机控制和工业设备)的空间。IR25750
 
在所有输入和输出端均集成了 ESD 保护和出色的抗阻断能力,可提供强大的单片保护,适用于工业环境,并具有 1 级湿度敏感等级 (MSL1)。

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