AUIRS2332J 是一款适用于高功率、高速功率 MOSFET 和 IGBT 的驱动器,它集成了三个独立的输出通道,并带有高低电位基准。该公司专有的 HVIC 技术实现了坚固的单片结构,其逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出,甚至支持 3.3V 逻辑。这款新器件还集成了一个接地参考运算放大器,可通过外部电阻提供模拟桥电流反馈,用于电流检测、电流关断功能以及开漏故障信号,以指示过流或欠压关断。该 IC 采用 PLCC44 封装,增大了高压引脚之间的爬电距离,从而简化了 PCB 布局。.
AUIRS2332J 具有高度集成性和强大的保护功能,简化并小型化了设计,同时为电动汽车和车辆的电机或逆变器控制应用提供了所需的可靠性和稳健性。.
AUIRS2332J 经过全面设计,能够承受正常工作和保护模式下开关节点可能出现的负瞬态电压,从而提高系统鲁棒性。该器件的输出驱动器集成了一个大电流脉冲中间级,旨在最大限度地减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过平衡,简化了其在高频下的应用。浮动沟道可用于驱动高电位侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。.
IR的汽车级集成电路产品均经过动态和静态器件平均测试,以及100%自动化晶圆目视检测,这是IR汽车质量计划的一部分,旨在实现零缺陷。这些器件符合AEC-Q100标准认证,其材料清单环保、无铅且符合RoHS指令。.
AUIR2332J 规格:
Voffset:600 V。Vout
:10-20 V。Io:+250
mA/ -500 mA。Ton
/Toff:540 ns。
封装:PLCC44。
