近年来，由于物联网设备数量的增加，对服务器系统的需求不断增长，提高能源转换效率和缩小尺寸已成为重要的社会问题，需要电力设备领域取得新的进展。.
由于氮化镓器件通常比硅器件具有更优异的开关特性和更低的导通电阻，因此有望有助于降低各种电源的功耗，并进一步缩小外围元件的尺寸。.
除了大规模生产业界领先的 SiC 器件和多功能硅器件外，ROHM 还开发了在中压范围内提供卓越高频运行性能的 GaN 器件，使我们能够为更广泛的应用提供电源解决方案。.
这些新产品采用原创设计，将标称栅源电压从传统的 6V 提升至 8V。因此，即使在开关过程中出现超过 6V 的过冲电压，也能防止性能下降，从而提高设计裕量并增强电源电路的可靠性。GNE10xxTB 系列采用高度通用的封装，具有卓越的散热性能和高电流容量，便于组装操作。.
ROHM已将其有助于提高能源效率和小型化的GaN器件注册为EcoGaN™，并正致力于通过性能增强型器件拓展产品线。未来，ROHM将继续开发利用模拟电源技术的集成控制电路（例如Nano Pulse Control™）以及集成这些集成电路的模块，同时还将开发通过最大限度发挥GaN器件性能来助力可持续发展的电源解决方案。.
名古屋大学工学研究生院山本正义教授指出，
日本经济产业省今年设定了到2030年（距今不到10年）新建数据中心节能30%的目标。然而，这些系统不仅要节能，还要具备韧性和稳定性，因为它们已成为我们社会基础设施的重要组成部分。
针对这一情况，ROHM 开发了一种新型氮化镓 (GaN) 器件，可提供业界领先的 8V 无干扰栅极电压，在确保卓越耐久性和稳定性的同时，还能显著提升能耗。基于这些产品，ROHM 将继续结合其专利的 Nano Pulse Control™ 模拟电源技术，进一步提高电源效率，引领一项重要的技术潮流，助力半导体和电信行业在 2040 年前实现碳中和。.
什么是 EcoGaN™？
EcoGaN™ 指的是通过最大限度地发挥氮化镓 (GaN) 的低导通电阻和高速开关特性，从而实现节能和小型化的氮化镓器件。其目标是降低应用功耗、缩小外围元件尺寸、减轻设计负担并减少所需元件数量。
*EcoGaN™ 是 ROHM 株式会社的商标或注册商标。
应用示例（图 4）
• 用于数据中心和基站的 48V 输入降压转换器电路
• 用于基站功率放大器模块的升压转换器电路
• 用于便携式设备的激光雷达驱动电路和无线充电电路
• D 类音频放大器
示例电路
产品系列
