基于威世半导体专有的沟槽式PT IGBT技术，VS-GP100TS60SFPbF、VS-GP250SA60S、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S可提供低至1.10 V的极低集电极-发射极电压，以及11 mJ的关断功耗，适用于输出反相器级。
凭借其沟槽式PT IGBT结构，这些威世半导体器件的尺寸比平面IGBT更小，在不影响性能的前提下，为设计人员提供更高的电流密度和更低的热阻（结到外壳）。极低的集电极-发射极电压可实现极低的导通损耗，同时其关断功耗比上一代器件降低了50%，从而提高了效率和长期可靠性。
VS-GP100TS60SFPbF、VS-GP300TD60S 和 VS-GP400TD60S 半桥 IGBT 将沟槽式 PT IGBT 与 HEXFRED® 反并联二极管和 FRED PT® 二极管集成于单个 INT-A-PAK 封装和双 INT-A-PAK 封装中，封装高度仅为 17 mm。VS-GP250SA60S 单开关模块采用 SOT-227 封装，典型寄生电感 ≤ 5 nH，并通过了 E78996 UL 认证。
这些符合 RoHS 标准的模块工作频率高达 1 kHz，集电极-发射极电压高达 600 V，连续集电极电流范围为 100 A 至 400 A。这些器件可直接安装在散热器上，并具有低电磁干扰 (EMI) 特性。

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