Microchip Technology Inc. 发布了一款 SuperFlash 存储器件，该器件采用耐辐射的 64 Mbit 并行接口，并具有极高的总电离剂量 (TID) 性能，可在太空任务的高辐射环境下提供卓越的可靠性和稳定性。它是 Microchip 适用于太空环境的微控制器、微处理器和 FPGA（现场可编程门阵列）的理想补充，为这种可扩展的开发模式提供了构建模块。.
“SST38LF6401RT SuperFlash 器件进一步增强了我们为空间系统开发综合解决方案的可扩展性，该方案利用了我们耐辐射或抗辐射的微处理器和 FPGA，”Microchip 航空航天与国防业务部副总裁 Bob Vampola 表示。“当需要额外的闪存来存储关键软件代码或驱动整个系统的比特流时，它为这些空间系统提供了至关重要的保护，从而确保最可靠的数字处理。”.
SST38LF6401RT 器件可在高达 50 千拉德 (krad) 的总电离辐射 (TID) 下承受稳定辐射，同时闪存仍保持极化状态并正常工作，这使得系统能够在各种空间应用中正常运行，因为在这些应用中，任何可能导致严重系统缺陷和损失的代码执行丢失都是不可接受的。它是 Microchip 基于 Arm® Cortex®-M7 的抗辐射 SoC SAMRH71 的理想补充，也可与 PolarFire® RT FPGA ，实现飞行中系统重配置。
该器件的引脚排列与其工业版本兼容，以便于过渡到经航天应用认证的塑料或陶瓷版本（针对印刷电路板）。SST38LF6401RT 的工作电压为 3.0 至 3.6 V。
开发工具和供货情况：
此外，还提供 SAMRH71 以及配套软件
Microchip 的工艺：从传统器件到抗辐射器件。Microchip
从其经认证的汽车和工业产品系列中选择合适的器件，并结合硅工艺的改进，提高了器件的防护等级，使其更能抵御高电离环境中的局部干扰。经过轻微改进的器件的辐射响应已得到全面表征，每个功能模块均提供辐射报告。这些器件的应用范围广泛，涵盖运载火箭、卫星星座和空间站等。设计人员可以先使用现有的传统器件来构建系统，然后再将其替换为符合航天标准的同等器件。这些器件具有兼容的引脚，并采用高可靠性的塑料和陶瓷封装。
