COOLiRFET™ PQFN 双封装 5x6mm 40V 汽车级功率 MOSFET AUIRFN8459 和 AUIRFN8458

细节: 类别：集成电路; 2014年10月13日

国际整流器公司推出了汽车级 AUIRFN8459 和 AUIRFN8458 COOLiRFET™ 40V 功率 MOSFET，它们为需要紧凑尺寸和高电流运行的汽车应用（例如泵和车身电机控制）提供了基准导通延迟电阻 (RDS(on))。.

MOSFET-IR-W AUIRFN8459 和 AUIRFN8458 是 IR 基于其最先进的 40V COOLiRFET™ 沟槽技术的首批车规级双 5x6mm PQFN 功率 MOSFET。AUIRFN8459 实现了每通道 5.9mΩ 的超低导通电阻 (Rds(on))，并能够驱动高达 50A 的电流。

这些新型双 5x6mm COOLiRFET™ PQFN 器件还具有更低的散热路径，与 SO-8 封装相比，散热性能显著提升，从而实现了更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。

作为 IR 汽车质量计划的一部分，IR 的车规级 MOSFET 经过动态和静态器件平均测试以及 100% 自动化晶圆目视检测，旨在实现零缺陷。 AEC-Q101认证要求器件在经过1000次温度测试循环后，导通电阻(Rds(on))的变化不得超过20%。

该新型器件已通过AEC-Q101标准认证，并采用环保、无铅且符合RoHS指令的材料。