报告显示，全球约50%的能源需求用于驱动电机，随着新兴市场和发展中国家家用电器的持续普及，预计这一比例还将进一步上升。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）通常用作逆变器中的开关元件，驱动冰箱、空调等家用电器中的电机。当前节能趋势推动了对低功耗MOSFET的需求，以满足各种应用领域在连续运行中的功耗需求。.
为了满足这一需求，ROHM 于 2012 年推出了 PrestoMOS™ 系列功率 MOSFET。该系列拥有业界最快的反向恢复特性，从而降低了功耗。与我们传统的器件一样，该系列也采用了我们获得专利的寿命控制技术，实现了超快的反向恢复时间 (trr)，与 IGBT 相比，在轻负载下可降低约 58% 的功率损耗。此外，更高的 MOSFET 导通参考电压有效防止了自导通，而自导通是造成功率损耗的主要原因之一。同时，通过优化内置二极管特性，我们提高了超结 MOSFET 特有的软恢复比，从而降低了可能导致故障的噪声。这些电路优化障碍的消除，为客户提供了更大的设计灵活性。.
什么是 PrestoMOS™？
“Presto”是一个意大利音乐术语，意为“非常快”。MOSFET
具有诸多优势，例如在相对较低的电流条件下，开关速度快、导通损耗低。例如，在空调应用中，与 IGBT 相比，MOSFET 在降低连续运行期间的功耗方面更为有效。PrestoMOS
™ 是 ROHM 的功率 MOSFET，其集成二极管拥有业界最快的反向恢复时间 (trr)，有助于降低逆变器应用中的功耗。
*PrestoMOS 是 ROHM 的注册商标。
提升设计灵活性的关键：
开关速度的提升、自导通和噪声产生是相互矛盾的现象，要求客户在电路设计过程中通过调整栅极电阻和其他因素来优化电路。与通用 MOSFET 不同，ROHM 的 R60xxJNx 系列采取了抑制噪声和自导通的措施，为客户提供了高度的设计自由度。
1. 实施自导通抑制措施可最大限度地减少损耗。
通过优化 MOSFET 结构中固有的寄生电容，我们已将开关过程中意外的栅极电压降低了 20%。此外，该特殊设计通过将 MOSFET 的导通阈值电压 (Vth) 提高 1.5 倍，使自导通更加困难。这扩大了因栅极电阻和其他客户因素造成的损耗的调整范围。
2. 改进的恢复特性降低噪声。
通常，超结 MOSFET 内部二极管的恢复特性表现出较强的恢复能力。然而，通过优化内部结构，ROHM 的 R60xxJNx 系列产品相比传统产品，平滑恢复速率提高了 30%，并在保持业界最快反向恢复时间 (trr) 的同时，实现了更低的噪声。这使得客户能够更轻松地调整噪声水平（例如，由于栅极电阻引起的噪声）。
伽马（图 6）
应用领域：
空调、冰箱和工业设备（例如充电站）
