通过安森美半导体 (Onsemi) 的 GaNEXUS GaN FET（由 Mouser 提供），可以实现更高的工作频率和更大的功率密度。此外，它们还有助于减少低、中、高和超高电压范围内的电源转换应用中磁性元件的数量。这些增强型 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的电压范围为 40 至 650 V，其中包括具有集成保护功能的 GaNEXUS 650 V 智能 GaN FET，可提高可靠性并简化系统集成。GaNEXUS 解决方案旨在增强现代电源系统中的功率转换和管理，简化复杂的设计，加快认证和开发速度，降低散热需求，并优化整个电源链的性能。.
在低压和中压系统中（例如人工智能服务器、48V 中间总线转换器 (IBC)、电池备用单元 (BBU) 和电机控制器），GaNEXUS 的应用有助于减小磁性元件的尺寸，提高功率密度，改善效率、散热性能和控制稳定性，并降低开关损耗。在高压应用中（例如人工智能功率模块、高压直流-直流转换器、功率因数校正 (PFC) 和 LLC 功率级），GaNEXUS 的应用可使谐振和高频交流-直流级中磁性元件的尺寸减少高达 60%，提高 PFC、LLC 和高压直流-直流架构中的功率密度，并降低散热和运行成本。.
